طراحی تراشه‌های GAA در مقایسه با طراحی تراشه‌های FinFET که برای چندین سال استاندارد بوده اند، به ترانزیستور‌ها اجازه می‌دهد تا جریان بیشتری را برقرار کنند.
شرکت صنایع نیم‌رسانای تایوان(TSMC)، تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری را در اواخر امسال آغاز خواهد کرد، اگرچه آن‌ها همچنان از طراحی تراشه‌های FinFET استفاده خواهند کرد ، اما این شرکت با انتقال گره ۲ نانومتری به GAAFET تغییراتی خواهد داشت.
بیشتر بخوانید
به گفته سامسونگ، تراشه‌های ۳ نانومتری GAA در مقایسه با تراشه‌های FinFET ۵ نانومتری مشابه با ۴۵ درصد انرژی کمتر، ۲۳ درصد سرعت بیشتر و ۱۶ درصد ابعاد کوچک‌تر مورد استفاده کاربران قرار می‌گیرد. شرکت سامسونگ از بازگو کردن نوع تراشه‌هایی که برای اولین محموله خود ذخیره کرده است، خودداری می‌کند. اما این شرکت قصد دارد تراشه‌های گوشی‌های هوشمند خود را با استفاده از طراحی ۳ نانومتری GAA توسعه دهد.
به گزارش gsmarena، سامسونگ الکترونیس (Samsung Electronics)، در اوایل دهه ۲هزار شروع به تحقیق در مورد ترانزیستور‌های GAA و آزمایش طراحی آن در سال ۲۰۱۷ کرد که اکنون آماده تولید انبوه تراشه‌های نانومتری با استفاده از فرآیند جدید است.
شرکت سامسونگ ماه گذشته ساخت تراشه ۳ نانومتری Gate-All-Around) GAA) را آغاز کرد و اکنون برای عرضه این تراشه مراسمی برگزار کرده است. در این مراسم حدود ۱۰۰ نفر از جمله مدیران و کارمندان این شرکت، مدیران شرکت‌هایی که به دنبال استفاده از این فناوری جدید هستند و همچنین لی چانگ یانگ، وزیر تجارت، صنعت و انرژی که متعهد به حمایت از اکوسیستم نیمه هادی کشور هستند، حضور داشتند.