ژو و گروهش بر روی «مولیبدن دی سولفید» که یک ماده دو بعدی پذیرفته و شفاف است که خواص الکترونیکی و فوتونیک قدرتمندی را از خود می‌دهد و آن را برای ترانزیستورهای نیمه‌رسانا بهینه می‌کند.
با این حال، ترانزیستورها را می‌توان از مواد دوبعدی فوق نازک ساخت که این چالش انباشتگی را حل می‌کند. این دوبعدی معمولاً در جای دیگری ساخته می‌شود و سپس به تراشه‌های ویفری منتقل می‌شود، اما این یک روش خاص است که این ترانزیستورها را ناسازگار می‌کند و مانع می‌شود.
ژو و گروهش اکنون به دنبال تنظیم دقیق تکنیک‌ها و بررسی‌های مشابه برای رشد این لایه‌ها به سطوح روزمره مانند منسوجات و کاغذ هستند.
به گزارش ایسنا و به نقل از آی‌ای، از آنجایی که ما مملو از ابزارهای الکترونیکی ساخته شده است و مصنوعی و داده های بزرگ به رشد مراکز کمک می‌کنند، نیاز به تراشه‌های رایانه‌ای، بیش از پیش احساس می‌شود، تراشه‌هایی که قوی‌تر، قوی‌تر و متراکم‌تر از همیشه هستند.
انتهای پیام
این تراشه‌ها به طور سنتی با مواد سه‌بعدی جعبه‌های ساخته شده می‌شوند که در طبیعت حجیم هستند و چیدمان آن‌ها در لایه‌هایی است.
پژوهشگران برای مقابله با این تخریب، کوره‌ای را برای تجزیه و تحلیل طراحی و ساختند. این کوره از دو محفظه تشکیل شده است: قسمت جلویی که محفظه‌های با پایین‌تر است ویفر سیلیک در قرار گرفتن و محفظه پشتی که محفظه‌ای با آن بالاست. سپس ترکیبات مولیبدن و گوگرد تبخیر شده به داخل این کوره پمپاژ می‌شوند.
نازک مولیبدن دی سولفید معمولاً از طریق روش «رسوب شیمیایی بخار شیمیایی فلزی-آلی»(MOCVD) رشد می‌کنند. این واکنش شامل تجزیه و تحلیل ترکیبات مولیبدن و گوگرد در بالاتر از ۱۰۲۲ درجه فارنهایت(۵۵۰ درجه سانتیگراد) است. اما مدارهای سیلیکونی با فراتر رفتن دما از ۷۵۲ درجه فارنهایت(۴۰۰ درجه سانتیگراد) تخریب می‌شوند.
در حالی که در محفظه جلویی باقی می‌ماند و می‌شود، جایی که دما کمتر از ۷۵۲ درجه فارنهایت است، ترکیب گوگرد به سمت محفظه پشتی گرمتر جریان می‌یابد و در آنجا تجزیه می‌شود.